碳化硅材料有哪些特性？
2020-03-13 11:10 发布者：碳化硅 来源：http://www.yfmlnc.com 阅读量：
常用的碳化硅材料由于其适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、高的比刚度、高度的尺寸稳定性及热性能与机械性能的各向同性等一系列优良的物理性质,受到越来越多的重视，普遍被用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域,现已成为一种在很多工业领域不可替代的材料。
碳化硅材料：
碳化硅是一种天然超晶格，也是一种典型的同质多型体。由于碳与硅双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，因此碳化硅有着超过两百多种同质多型族，被人熟知的便是立方密排和六方密排，正是因为这些多种多样的同质结构，使得该产品具有优良的物理和化学性能。
碳化硅性能：
1、力学性能:高硬度，可以用来切割红宝石。高耐磨性,仅次于金刚石。
2、热学性能:热导率超过金属铜,是硅的三倍，散热性能好，对于大功率器件非常重要。碳化硅的热稳定性较高，在常压下不可能熔化。
3、化学性能:耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂。碳化硅表面易氧化生成氧化硅薄层，能防止其进一步氧化,在高温下,这层氧化膜熔化并迅速发生氧化反应。碳化硅能溶解于熔融的氧化剂物质。
4、电学性能:碳化硅带隙约是硅的三倍，其击穿电场强度高于硅，饱和电子漂移速度是硅的几倍。
3、化学性能:耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂。碳化硅表面易氧化生成氧化硅薄层，能防止其进一步氧化,在高温下,这层氧化膜熔化并迅速发生氧化反应。碳化硅能溶解于熔融的氧化剂物质。
4、电学性能:碳化硅带隙约是硅的三倍，其击穿电场强度高于硅，饱和电子漂移速度是硅的几倍。
碳化硅历史：
碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体，它具有热导率高、晶格失配小等优势，非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。它早在1842年就被发现了，但直到1955年才开发出生产高品质碳化硅晶体材料的方法。到了1987 年商业化生产的碳化硅衬底进入市场，进入21世纪后碳化硅衬底的商业应用才算全面铺开。
以上是本期“碳化硅材料有哪些特性？”的全部内容，可以看出碳化硅的性能很好，它的应用范围也比较广，在不久的未来它还会有突破性发展，它的制造工艺也会有重大发展，这些迹象也是它开始走向成熟的标志，作为今后主要的半导体材料,它在半导体器件领域会起到不可替代的作用。
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