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碳化硅的抗氧化性和化学稳定性是什么?

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2019-09-25 02:11 发布者:admin 来源:http://www.yfmlnc.com 阅读量:

  碳化硅的化学性质中的是它的抗氧化功能。碳化硅在空气中加热到1000℃以上时,仅在其表面氧化,生成一层二氧化硅薄膜。这层二氧化硅薄膜能阻碍氧向碳化硅内部的扩展速度、碳化硅的氧化。碳化硅的氧化速率随着时刻的推移而减慢,使得碳化硅有较好的抗氧化性。在1300℃时薄膜层二氧化硅开端有方石英析出,晶型的转变引起薄膜层开裂,从而氧化速度有所增加。在1500~1600℃时,由于SiO2层的增厚,氧化作用,使得碳化硅能在1600℃的高温下长时间稳定地运用。超越1627℃时,将发生如下反应:2SiO2+SiC→3SiO+CO以及SiO2的蒸发,使SiO2保护层受到损坏,这时碳化硅的氧化作用又会迅速进行。因此1627℃是碳化硅材料的工作温度。

碳化硅

  当氧化剂是水蒸气、二氧化碳时,碳化硅的氧化状况与在空气中相似,只不过在1627℃以下时,对SiC的氧化速率要小些。当温度超越1627℃时,这种较慢的氧化速率反倒氧化反应的有利因素。由于,这时碳化硅上的SiO2薄膜生成速度小于SiO2与SiC的反应速度,即SiO2刚生成果遭到损坏。

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